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性能提50% 三星推8Gb LPDDR4移动DRAM

日期:2011-5-10 9:37:39 人气: 时间:2024-06-02 12:55 来源:未知 作者:admin

  

  泡泡网内存频道12月31日三星正式宣布已经成功研发出业界内首款采用第四代低功耗内存技术LPDDR4的8Gb移动DRAM。三星存储销售及市场推广高级执行副总裁 Young-Hyun Jun表示:“下一代的LPDDR4 DRAM将会加快全球移动DRAM市场的发展,并且将会迅速占据主导地位。三星将会继续带领DRAM市场不断向前发展凯时k66手机端。”

  三星本次推出的高速8Gb的LPDDR4移动DRAM将提供较高级别密度凯时k66手机端、性能和能效对比凯时k66手机端,能够让用户更快更灵活的使用应用凯时k66手机端凯时k66手机端凯时k66手机端凯时k66手机端凯时k66手机端,提供更加丰富的功能凯时k66手机端,在延长电池续航的同时为高分辨率显示屏提供支持凯时k66手机端凯时k66手机端。

  本次8Gb的LPDDR4内存采用20nm制程进行制造凯时k66手机端,单一芯片上提供1GB凯时k66手机端,相比较现今使用DRAM的密度大大提高凯时k66手机端凯时k66手机端凯时k66手机端凯时k66手机端。通过装备4块8Gb的芯片能够实现4GB的LPDDR4的封装凯时k66手机端凯时k66手机端,提供前所未有的性能体验。

  这款全新的8Gb LPDDR 4采用了低电压摆幅终端逻辑( LVSTL )I/O接口凯时k66手机端,该接口已经通过了JEDEC的认证。基于这个全新的接口LPDDR 4芯片的数据传输速率能够达到3200MBPs凯时k66手机端凯时k66手机端,是现有LPDDR3的两倍凯时k66手机端凯时k66手机端凯时k66手机端。从总体上而言新的LPDDR4接口在性能上要比LPDDR3要高50%凯时k66手机端,此外能耗减少40%凯时k66手机端凯时k66手机端,维持在1.1伏特左右凯时k66手机端。■